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信息存儲應用技術
  • 數據儲存系統的控制方法、數據儲存模塊、電腦程序產品與流程
    本發明主要關于一種數據儲存系統的控制方法、數據儲存模塊、電腦程序產品。現有的數據儲存中心具有多個數據儲存設備以儲存大量的數字數據。每一數據儲存設備具有大量的硬盤,一般而言數據儲存設備內硬盤的數量可超過一百個。然而,當大量的硬盤以高速運作時會產生大量的熱能,因此于數據儲存設備內會設置多個風扇...
  • 校準電路及包括該校準電路的半導體存儲器件的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請要求于2018年8月16日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請no.10-2018-0095318的優先權,其公開內容通過引用被整體并入本文。本文描述的發明構思的各種示例實施例涉及校準電路、校準系統、包括該校準電路的半導體存儲器件、和/或使用該校準電路的方法,并且更具體地,涉...
  • 一種Nand型快閃存儲器的漏電測試方法與流程
    本發明實施例涉及nand型快閃存儲器的,尤其涉及一種nand型快閃存儲器的漏電測試方法。nand型快閃存儲器是一種非易失存儲器,它通過對存儲單元進行讀寫擦操作來存儲數據,具有改寫速度快,存儲容量大等優點,被廣泛使用到電子產品中。隨著nand型快閃存儲器的大量使用,對其可靠性的要求也...
  • 高速緩存緩沖器以及具有其的半導體存儲器裝置的制作方法
    本公開總體上涉及電子裝置,更具體地,涉及一種高速緩存緩沖器以及具有該高速緩存緩沖器的半導體存儲器裝置。存儲器裝置可按照串水平于半導體基板布置的二維結構形成,或者按照串垂直于半導體基板布置的三維結構形成。為了克服二維半導體裝置中的集成度的限制,設計了三維半導體裝置,其可包括在半導體基板上垂直...
  • 哈希表修復方法及裝置與流程
    本申請涉及數據存儲,尤其涉及哈希表修復方法及裝置。元數據(metadata),又稱中介數據、中繼數據,為描述數據的數據(dataaboutdata),主要是描述數據屬性(property)的信息,用來支持如指示存儲位置、歷史數據、資源查找、文件記錄等功能。當前,在存儲設備中,元數據...
  • 一種存儲數據的擦除方法及裝置與流程
    本發明實施例涉及存儲數據處理,尤其涉及一種存儲數據的擦除方法及裝置。存儲器(memory)的主要功能是存儲程序和各種數據,是現代信息技術中用于保存信息的記憶設備。在數字系統中,存儲器用于保存二進制數據;在集成電路中,存儲器可以是具有存儲功能的電路;在系統中,存儲器可以為各種存儲設備...
  • 一種存儲數據的讀取方法及裝置與流程
    本發明實施例涉及存儲數據處理,尤其涉及一種存儲數據的讀取方法及裝置。存儲器中包含許多存儲單元,存儲單元具有存儲數據和讀寫數據的功能。通常存儲器的存儲單元中的存儲數據并不是直接的二進制數據“0”或“1”,而是與存儲單元中存儲的數據相關的電信號。在讀取存儲單元中存儲的數據時,通過一個參...
  • 一種存儲器的擦除方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的擦除方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器擦除操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的擦除方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的擦除方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器擦除操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的擦除方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的擦除方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器擦除操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的擦除方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的擦除方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器擦除操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的擦除方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的擦除方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器擦除操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的編程方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的編程方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器編程操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的編程方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的編程方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器編程操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的編程方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的編程方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。nandflash存儲器中,尤其是tlc型存儲器,其存儲單元的狀態較多,進行編程...
  • 一種提高存儲器數據可靠性的方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種提高存儲器數據可靠性的方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器編程操作時,由于需要經過多次編程校驗操作,導...
  • 一種存儲器的編程方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的編程方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器編程操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 一種存儲器的編程方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種存儲器的編程方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器編程操作時,會發生校驗失敗,每次校驗失敗后,就需要增加...
  • 半導體存儲裝置的制作方法
    相關申請案本申請案享有以美國臨時專利申請案62/712,573號(申請日:2018年7月31日)為基礎申請案的優先權。本申請案通過參照該基礎申請案而包含基礎申請案的全部內容。實施方式主要涉及一種半導體存儲裝置。作為半導體存儲裝置,已知有nand(notand,與非)型閃速存儲器。發明內容實...
  • 提高存儲器數據可靠性的方法和系統與流程
    本發明實施例涉及存儲器,尤其涉及一種提高存儲器數據可靠性的方法和系統。存儲器時一種在編程時必須用到的元件,如nandflash存儲器,nandflash存儲器是一種非易失存儲器,具有改寫速度快,存儲容量大等優點。而nandflash存儲器編程操作時,由于需要經過多次編程校驗操作,導...
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