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2020/1/24最新更新專利技術
  • 具有處理器和異構存儲器的一體化半導體器件及其形成方法與流程
    相關申請的交叉引用本申請要求享有2019年4月15日提交的名稱為“integrationofthree-dimensionalnandmemorydeviceswithmultiplefunctionalchips(三維nand存儲器器件與多功能芯片的集成)”的國際申請no.pct/cn2019/...
  • 一種發光二極管器件的制作方法
    本發明涉及半導體,特別涉及一種發光二極管的芯片結構。高功率高亮度發光二極管(led)在當下高亮度照明市場的需求下凸顯出了其重要性。在藍寶石為襯底的水平結構led上,由于藍寶石的散熱問題和電流擁擠效應,在高電流密度下操作極易過熱導致芯片燒毀,因此高功率led無法采用水平結構。而垂直結...
  • 層疊型熱交換器及該層疊型熱交換器的制造方法與流程
    相關申請的相互參照本申請基于在2017年6月9日提出申請的日本專利申請號2017-114058號和在2018年5月8日提出申請的日本專利申請號2018-90096號,在此通過參照而編入其記載內容。本發明涉及將供制冷劑流通的多個流路管層疊而成的層疊型熱交換器以及該層疊型熱交換器的制造方法。作...
  • 電路裝置的制作方法
    本發明涉及電路裝置。本申請主張基于在2017年6月28日提出申請的日本申請第2017-126355號的優先權,并援引所述日本申請記載的全部的記載內容。在車輛搭載有與電源和前照燈或雨刷等負載連接的電氣連接箱。電氣連接箱進行電源及負載的電連接和該連接的切斷。電氣連接箱中收容的電路結構體例如在專...
  • 包括具有熱指示器的襯底的電子部件的制作方法
    本公開總體上涉及半導體。更具體而言,本公開涉及包括具有熱指示器的襯底的電子部件,所述熱指示器沿所述襯底的周界設置,以用于監測襯底的累積熱暴露。本領域已知,封裝襯底是半導體封裝制造中的重要部件。封裝襯底起著安裝于其上的芯片或管芯的載體的作用,并且在芯片和系統板之間提供電信號連接。此外...
  • 用于襯底處理系統的溫度調整的襯底支撐件的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請要求于2017年5月12日提交的美國專利申請no.15/593,987的優先權。上述申請的全部公開內容通過引用并入本文。本公開涉及襯底處理系統,并且更具體地涉及用于襯底處理系統的溫度受調節的襯底支撐件。這里提供的背景描述是為了總體呈現本公開的背景的目的。在此...
  • 用于晶片階層封裝的方法及裝置與流程
    本發明的實施例大致關于用于處理基板的方法及裝置。具體而言,本公開的實施例關于用于基板層疊封裝(pop)處理的方法及裝置。基板及裝置的層疊封裝(package-on-package;pop)堆疊提供主要關于減少裝置足跡的顯著優點。歸因于相關聯封裝之間縮短的互連,pop用于改善電子性能。pop...
  • 用于在低K電介質蝕刻中減少反應離子蝕刻滯后的方法與流程
    相關申請的交叉引用本申請與在2017年6月12日提交的美國臨時專利申請序列號62/518,373和2017年10月10日提交的美國臨時專利申請序列號62/570,402有關并要求其優先權,其全部內容通過引用并入本文。本公開涉及基底例如半導體基底的處理。特別地,本公開提供了在蝕刻基底的介電膜...
  • 本發明涉及對半導體基板賦予拒醇性的半導體基板的表面處理方法。半導體元件的制造工序中,有用剝離液和清洗液完全去除由于干蝕刻處理而產生的殘渣物的工序,為了將該剝離液和清洗液從表面去除,進行使用了溶劑的沖洗。此時,存在由于沖洗中使用的溶劑的毛細管力而圖案坍塌的問題。作為解決該圖案坍塌問題的方法,...
  • 含鉬的低電阻率的膜的制作方法
    相關申請的交叉引用本申請根據35u.s.c.§119要求于2017年4月10日提交的美國臨時專利申請no.62/483,857的利益,其內容以引用方式并入本文。這里提供的背景描述是為了一般地呈現本公開的背景的目的。在該部分以及在提交時不會以其他方式認為是現有技術的描述的方面中描述的...
  • 氮化物半導體層疊物、半導體裝置、氮化物半導體層疊物的制造方法、氮化物半導體自支撐基板的制造方法以及半導體裝置的制造方法與流程
    本發明涉及氮化物半導體層疊物、半導體裝置、氮化物半導體層疊物的制造方法、氮化物半導體自支撐基板的制造方法以及半導體裝置的制造方法。在制造氮化物半導體層疊物、氮化物半導體自支撐基板、半導體裝置等時,有時會利用氣相外延法使由iii族氮化物半導體形成的半導體層在規定的基板上進行外延生長(例如非專...
  • 相關申請的交叉引用本申請要求于2017年6月16日提交的美國臨時申請序列號62/520,850的優先權,其全部內容通過引用并入本文中。不斷擴展的移動計算應用要求將不斷增長的計算能力封裝在更小的設備空間中。半導體器件的設計者依賴于使用各種新芯片架構來滿足新的設備要求。這些新架構包括使用銅柱的...
  • 具有均勻性控制的等離子體剝離工具的制作方法
    優先權本申請要求2017年12月27日提交的標題為“具有均勻性控制的等離子體剝離工具”的美國臨時專利申請第62/610,588號的優先權的權益,通過引用將其并入本文。本申請要求2017年6月9日提交的標題為“具有均勻性控制的等離子體剝離工具”的美國臨時專利申請第62/517,365號的優先權的權益...
  • 具有多氣體注入的等離子體剝離工具的制作方法
    優先權本申請要求2017年12月27日提交的標題為“具有多個氣體注入區的等離子體剝離工具”的美國臨時申請第62/610,582號的優先權的權益,出于所有目的,通過引用將其并入本文。本申請要求2017年6月9日提交的標題為“具有均勻性控制的等離子體剝離工具”的美國臨時申請序列號62/517,365的...
  • 開關的制作方法
    本發明涉及開關。對于允許引用參考文獻的指定國,通過參照2017年6月20日在日本申請的特愿2017-120714所記載的內容而引入本說明書,并作為本說明書的記載的一部分。公知有具備上下電極片;以及被配置于上下電極片之間,在上下電極片之間形成規定的間隔的襯墊,上下電極片與襯墊經由粘著件被貼合...
  • 本發明涉及一種包含微粒和具有石墨烯疊層結構的碳材料的復合體、使用了該復合體的蓄電器件用電極材料以及蓄電器件。通常,就環境方面而言,作為電容器和鋰離子二次電池等的蓄電器件的電極材料,廣泛使用石墨、活性炭、碳納米纖維或碳納米管等碳材料。例如,下述專利文獻1公開了一種使用具有三維網狀結構的細孔的...
  • 自支撐碳電極的制作方法
    本發明涉及一種由自支撐含碳片制成的自支撐電極,它不需要使用相關的金屬集流體。該電極尤其適合用作超級電容器的組件。近年來,超級電容器(有時本領域也稱為超大電容器)因其具有長的循環壽命穩定性和它們快速接受和提供電荷的能力而引起了人們將其用于能量存儲應用的興趣。這使得它們具有替代常規鋰離子電池或作為常規...
  • 包含納米涂層的固體電解質電容器的制作方法
    對相關申請的交叉引用本申請要求提交日為2017年7月3日的美國臨時專利申請序號62/528,232的提交權益,將其完全引入本文作為參考.鉭聚合物電容器由其上設置有固體電解質、銀層、和碳層的燒結鉭陽極形成。然而,經常與常規固體電解(質)電容器有關的一個問題是,在暴露于高濕度環境(例如,85%...
  • 混合型鋁電解電容器及其制造方法與流程
    本發明涉及電解電容,具體涉及一種混合型鋁電解電容器及其制造方法。鋁電解電容器是電子產品中應用廣泛的基礎元件,電解液是鋁電解電容器的核心組分,電容器的使用壽命、可靠性及電氣化參數都與之息息相關,其性能的優劣直接影響到電容器品質的高低。隨著電子產品質量的不斷提高及鋁電解電容器應用范圍的...
  • 生產平面線圈的裝置、系統和方法與流程
    相關申請的交叉引用本申請要求于2017年5月17日提交的題為“生產平面線圈的裝置、系統和方法”的美國申請第15/598044號的優先權,其全部內容通過整體限定并入本文。本公開總體上涉及增材電子器件,并且更具體地,涉及平面線圈的生產。印刷電子器件使用印刷或“增材(additive)”法在各種...
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